Produits automobiles Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric Corporation a annoncé récemment (23 janvier 2024) qu'elle lancerait bientôt six nouveaux modules semi-conducteurs de puissance de la série J3 pour divers véhicules électriques (xEV). Ces modules utilisent des transistors à effet de champ à oxyde métallique en carbure de silicium (SiC-MOSFET) ou RC-IGBT (Si)*1, ont une conception compacte et une évolutivité, et peuvent être utilisés dans les onduleurs pour véhicules électriques (VE) et les véhicules hybrides rechargeables (PHEV). Mitsubishi Electric prévoit de doubler le montant de son investissement pour construire une usine de plaquettes SiC de 8 pouces et des installations connexes, tout en renforçant la coopération verticale industrielle pour développer conjointement des substrats SiC de 8 pouces de haute qualité. En fournissant un approvisionnement stable en semi-conducteurs de puissance SiC, nous répondrons à la demande en croissance rapide sur des marchés tels que les véhicules électriques. Plaquettes SiC de 8 pouces de Mitsubishi Motors pour véhicules électriques et série J3 EV T-PM pour véhicules électriques. La série J3 EV T-PM pour véhicules électriques est un autre produit important récemment développé par Mitsubishi Electric pour le marché des véhicules électriques. Il est compatible avec RC-IGBT (750 V/400 A) et SiC (1 300 V/350 A) dans le même boîtier et convient parfaitement aux modèles milieu et haut de gamme.