Productos automotrices Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric Corporation anunció recientemente (23 de enero de 2024) que pronto lanzará seis nuevos módulos semiconductores de potencia de la serie J3 para varios vehículos eléctricos (xEV). Estos módulos utilizan transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (SiC-MOSFET) o RC-IGBT (Si)*1, tienen un diseño compacto y escalabilidad, y se pueden utilizar en inversores para vehículos eléctricos (EV) y vehículos híbridos enchufables (PHEV). Mitsubishi Electric planea duplicar su monto de inversión para construir una fábrica de obleas de SiC de 8 pulgadas e instalaciones relacionadas, al tiempo que fortalece la cooperación vertical de la industria para desarrollar conjuntamente sustratos de SiC de 8 pulgadas de alta calidad. Al proporcionar un suministro estable de semiconductores de potencia de SiC, satisfaceremos la creciente demanda en mercados como el de los vehículos eléctricos. Obleas de SiC de 8 pulgadas de Mitsubishi Motors para vehículos eléctricos y EV T-PM serie J3 para vehículos eléctricos. La serie J3 EV T-PM para vehículos eléctricos es otro producto importante desarrollado recientemente por Mitsubishi Electric para el mercado de vehículos eléctricos. Es compatible con RC-IGBT (750 V/400 A) y SiC (1300 V/350 A) en el mismo paquete y es totalmente adecuada para modelos de gama media y alta.