ФуриосаАИ лансира другу генерацију АИ чип за закључивање РНГД

Јужнокорејски стартуп за дизајн АИ чипова ФуриосаАИ је недавно објавио своју другу генерацију АИ чип за закључивање РНГД. Планирано је да чип почне масовну производњу у августу 2024. и користиће ТСМЦ-ов 5нм процесни чвор. Пријављено је да су перформансе РНГД-а упоредиве са Нвидијиним Л40С чипом за закључивање, али његова потрошња енергије је само 150 вати, далеко нижа од 350 вати код Л40С.