Infineon Technologies bringt weltweit erstes 300-mm-Galliumnitrid-Wafer-Produkt auf den Markt

Infineon Technologies gab vor Kurzem bekannt, dass das Unternehmen erfolgreich das weltweit erste 300 mm (12 Zoll) Galliumnitrid-Wafer-Produkt entwickelt habe und dieses auf der diesjährigen Münchner Elektronik-Messe vorstellen wolle. Laut Angaben von Infineon hat sich die Anzahl der 300-mm-GaN-Wafer im Vergleich zu 200-mm-Wafer um das 2,3-fache erhöht, was die Waferauslastung deutlich verbessert. Was den Produktionsprozess betrifft, wird Infineons 300-mm-GaN auf einem 300-mm-Siliziumsubstrat gezüchtet, was dazu beiträgt, vorhandene Produktionsressourcen effektiv zu nutzen und gleichzeitig die Kosten für GaN effektiv zu senken. Infineon Technologies geht davon aus, dass sich die Kosten für 300-mm-GaN mit fortschreitender Technologie allmählich denen von Silizium annähern werden. Das Produkt wird im österreichischen Infineon-Werk Villach hergestellt, das 2021 mit der Produktion von 300-mm-Produkten auf Siliziumbasis begann. Infineon Technologies geht davon aus, dass der Galliumnitrid-Markt auch in Zukunft weiter wachsen wird und das Marktvolumen bis 2030 voraussichtlich mehrere Milliarden Dollar erreichen wird.