A Infineon Technologies lança o primeiro produto de wafer de nitreto de gálio de 300 mm do mundo

A Infineon Technologies anunciou recentemente que desenvolveu com sucesso o primeiro produto de wafer de nitreto de gálio de 300 mm (12 polegadas) do mundo e planeja apresentá-lo na Feira de Eletrônicos de Munique deste ano. De acordo com dados fornecidos pela Infineon, o número de wafers de GaN de 300 mm aumentou 2,3 ​​vezes em comparação aos wafers de 200 mm, melhorando significativamente a utilização dos wafers. Em termos de processo de produção, o GaN de 300 mm da Infineon é cultivado em um substrato de silício de 300 mm, o que ajuda a utilizar efetivamente os recursos de produção existentes e, ao mesmo tempo, reduz efetivamente o custo do GaN. A Infineon Technologies espera que, com o avanço da tecnologia, o custo do GaN de 300 mm se iguale gradualmente ao do silício. O produto será produzido na fábrica da Infineon em Villach, na Áustria, que começou a produzir produtos de silício de 300 mm em 2021. A Infineon Technologies prevê que o mercado de nitreto de gálio continuará a crescer no futuro, e o tamanho do mercado deverá atingir bilhões de dólares até 2030.