Infineon Technologies lanserer verdens første 300 mm galliumnitrid wafer-produkt

Infineon Technologies annonserte nylig at de har utviklet verdens første 300 mm (12-tommers) galliumnitrid wafer-produkt og planlegger å demonstrere det på årets München Electronics Show. I følge data levert av Infineon har antallet 300 mm GaN-skiver økt med 2,3 ganger sammenlignet med 200 mm-skiver, noe som har forbedret wafer-utnyttelsen betydelig. Når det gjelder produksjonsprosessen, dyrkes Infineons 300 mm GaN på et 300 mm silisiumsubstrat, noe som bidrar til å effektivt utnytte eksisterende produksjonsressurser samtidig som kostnadene for GaN effektivt reduseres. Infineon Technologies forventer at etter hvert som teknologien skrider frem, vil kostnadene for 300 mm GaN gradvis bli lik silisium. Produktet vil bli produsert ved Infineons Villach-anlegg i Østerrike, som begynte å produsere 300 mm silisiumbaserte produkter i 2021. Infineon Technologies spår at galliumnitridmarkedet vil fortsette å vokse i fremtiden, og markedsstørrelsen forventes å nå milliarder av dollar innen 2030.