Infineon Technologies laiž klajā pasaulē pirmo 300 mm gallija nitrīda vafeļu izstrādājumu

Uzņēmums Infineon Technologies nesen paziņoja, ka ir veiksmīgi izstrādājis pasaulē pirmo 300 mm (12 collu) gallija nitrīda vafeles izstrādājumu un plāno to demonstrēt šī gada Minhenes elektronikas izstādē. Saskaņā ar Infineon sniegtajiem datiem 300 mm GaN vafeļu skaits ir pieaudzis 2,3 reizes, salīdzinot ar 200 mm plāksnēm, būtiski uzlabojot vafeļu izmantošanu. Ražošanas procesa ziņā Infineon 300 mm GaN tiek audzēts uz 300 mm silīcija substrāta, kas palīdz efektīvi izmantot esošos ražošanas resursus, vienlaikus efektīvi samazinot GaN izmaksas. Infineon Technologies sagaida, ka tehnoloģijai attīstoties, 300 mm GaN izmaksas pakāpeniski kļūs vienādas ar silīcija izmaksām. Produkts tiks ražots Infineon Villach rūpnīcā Austrijā, kas sāka ražot 300 mm silīcija bāzes produktus 2021. gadā. Infineon Technologies prognozē, ka gallija nitrīda tirgus turpinās pieaugt arī nākotnē, un paredzams, ka tirgus apjoms līdz 2030. gadam sasniegs miljardus dolāru.