Az Infineon Technologies piacra dobja a világ első 300 mm-es gallium-nitrid ostyáját

Az Infineon Technologies nemrégiben bejelentette, hogy sikeresen kifejlesztették a világ első 300 mm-es (12 hüvelykes) gallium-nitrid ostyáját, és azt tervezik, hogy bemutatják az idei müncheni elektronikai kiállításon. Az Infineon által szolgáltatott adatok szerint a 300 mm-es GaN lapkák száma 2,3-szorosára nőtt a 200 mm-es lapkákhoz képest, jelentősen javítva a lapka kihasználtságát. Ami a gyártási folyamatot illeti, az Infineon 300 mm-es GaN-jét 300 mm-es szilícium hordozón termesztik, ami segít a meglévő termelési erőforrások hatékony kihasználásában, miközben hatékonyan csökkenti a GaN költségeit. Az Infineon Technologies arra számít, hogy a technológia fejlődésével a 300 mm-es GaN költsége fokozatosan egyenlő lesz a szilíciuméval. A terméket az Infineon villachi ausztriai üzemében fogják gyártani, amely 2021-ben kezdte meg a 300 mm-es szilícium alapú termékek gyártását. Az Infineon Technologies előrejelzése szerint a gallium-nitrid piaca a jövőben tovább fog növekedni, és a piac mérete 2030-ra várhatóan eléri a dollármilliárdokat.