Infineon Technologies เปิดตัวเวเฟอร์แกลเลียมไนไตรด์ขนาด 300 มม. รุ่นแรกของโลก

ล่าสุด Infineon Technologies ได้ประกาศว่าพวกเขาประสบความสำเร็จในการพัฒนาเวเฟอร์แกเลียมไนไตรด์ขนาด 300 มม. (12 นิ้ว) ตัวแรกของโลก และมีแผนที่จะสาธิตผลิตภัณฑ์ดังกล่าวในงาน Munich Electronics Show ในปีนี้ ตามข้อมูลที่ Infineon ให้ไว้ จำนวนเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม. เพิ่มขึ้น 2.3 เท่าเมื่อเทียบกับเวเฟอร์ขนาด 200 มม. ส่งผลให้การใช้เวเฟอร์ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ ในด้านกระบวนการผลิต GaN ขนาด 300 มม. ของ Infineon ได้รับการปลูกบนพื้นผิวซิลิกอนขนาด 300 มม. ซึ่งช่วยให้ใช้ทรัพยากรการผลิตที่มีอยู่ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะเดียวกันก็ลดต้นทุนของ GaN ได้อย่างมีประสิทธิภาพอีกด้วย Infineon Technologies คาดว่าเมื่อเทคโนโลยีมีความก้าวหน้ามากขึ้น ต้นทุนของ GaN 300 มม. จะค่อยๆ เท่ากับต้นทุนของซิลิกอน ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวจะผลิตที่โรงงาน Villach ของ Infineon ในประเทศออสเตรีย ซึ่งเริ่มผลิตผลิตภัณฑ์ที่ทำจากซิลิคอนขนาด 300 มม. ในปี 2021 Infineon Technologies คาดการณ์ว่าตลาดแกลเลียมไนไตรด์จะยังคงเติบโตต่อไปในอนาคต และคาดว่าขนาดตลาดจะแตะระดับพันล้านดอลลาร์ภายในปี 2030