Infineon Technologies اولین محصول 300 میلی متری گالیوم نیترید ویفر جهان را عرضه کرد

Infineon Technologies اخیراً اعلام کرد که اولین محصول ویفر نیترید گالیوم 300 میلی متری (12 اینچی) را با موفقیت توسعه داده است و قصد دارد آن را در نمایشگاه الکترونیک مونیخ امسال به نمایش بگذارد. بر اساس داده های ارائه شده توسط Infineon، تعداد ویفرهای GaN 300 میلی متری در مقایسه با ویفرهای 200 میلی متری 2.3 برابر افزایش یافته است که به طور قابل توجهی استفاده از ویفر را بهبود می بخشد. از نظر فرآیند تولید، GaN 300 میلی‌متری Infineon روی یک بستر سیلیکونی 300 میلی‌متری رشد می‌کند که به استفاده مؤثر از منابع تولید موجود کمک می‌کند و در عین حال به طور مؤثر هزینه GaN را کاهش می‌دهد. Infineon Technologies انتظار دارد که با پیشرفت تکنولوژی، هزینه 300 میلی متر GaN به تدریج برابر با سیلیکون شود. این محصول در کارخانه Infineon's Villach در اتریش تولید خواهد شد که تولید محصولات مبتنی بر سیلیکون 300 میلی متری را در سال 2021 آغاز کرد. شرکت Infineon Technologies پیش بینی می کند که بازار نیترید گالیوم در آینده به رشد خود ادامه خواهد داد و انتظار می رود اندازه بازار تا سال 2030 به میلیاردها دلار برسد.