天域半導體2個SiC外延工程迎來擴建

天域半導體2個SiC外延計畫迎來封頂/擴建，進一步加速產能擴充：東莞生態園區廠區：計畫第一期預計今年5月試產，規劃年產能為17萬片；東莞松山湖廠區：第七次擴產，計畫將新增20萬片/年產能。總部及生產製造中心建設項目：擬投資76.7億元，總用地面積約6.3萬平米，總建築面積約22萬平方米，建設週期為2023年至2025年，將新建3座廠房及建築設施用於搭建100 萬片/年的 SiC 外延片外產線，100212年總建區16.67億，總佔地面積為1.86萬平方米，總建築面積為2.61萬平方米，共有外延生長設備121台，SiC外延片最大年產能為33.44萬片。未來，若生態園區廠區順利投產，天域半導體的SiC外延片年產能將增加至133.44萬片。