Tianyu Semiconductor zwee SiC epitaxial Projeten erweideren

D'Tianyu-Semicanduktioun ass dëst Joer. Sëtz a Produktioun an Fabrikatioun Zentrum Bauprojet: déi geplangten Investitioun ass 7,67 Milliarden Yuan, d'Gesamtlandfläch ass ongeféier 63.000 Quadratmeter, d'Gesamtbaufläch ass ongeféier 220.000 Quadratmeter, an d'Konstruktiounszäit ass vun 2023 bis 2025 Prozess-produzéiert am Mee 2024 am Ganzen, no der siwenter Renovatioun an Expansioun, Tianyu Semiconductor d'Songshan Lake Planz huet eng Gesamtinvestitioun vun ongeféier 1.667 Milliarden Yuan, eng Gesamtfläch vun 18.600 Quadratmeter, e Gesamtbaufläch vun 26.100 Quadratmeter, insgesamt 121,0 axial Produktiounskapazitéit vun 4,0 axial. fers. An Zukunft, wann d'Öko-Park Planz erfollegräich an d'Produktioun gesat gëtt, wäert d'Joresproduktiounskapazitéit vum Tianyu Semiconductor vu SiC epitaxialen Waferen op 1.3344 Millioune Stécker eropgoen.