Два проекта компании Tianyu Semiconductor по эпитаксиальным технологиям SiC расширяются

Два проекта компании Tianyu Semiconductor по эпитаксиальным кристаллам SiC достигли стадии завершения/расширения, что еще больше ускорило расширение производственных мощностей: завод Dongguan Eco-Park: ожидается, что на первом этапе проекта опытное производство начнется в мае этого года, а планируемая годовая мощность составит 170 000 единиц; завод Dongguan Songshan Lake: седьмое расширение, проект добавит дополнительно 200 000 единиц/год к производственным мощностям. Проект строительства штаб-квартиры и производственно-производственного центра: планируемые инвестиции составляют 7,67 млрд юаней, общая площадь земли составляет около 63 000 квадратных метров, общая площадь строительства составляет около 220 000 квадратных метров, а период строительства - с 2023 по 2025 год. Будут построены три новых завода и вспомогательные здания для строительства линии по производству эпитаксиальных пластин SiC мощностью 1 млн штук в год. Первая фаза проекта будет введена в опытное производство в мае 2024 года; в целом, после седьмой реконструкции и расширения, завод Tianyu Semiconductor's Songshan Lake имеет общие инвестиции около 1,667 млрд юаней, общую площадь 18 600 квадратных метров, общую площадь строительства 26 100 квадратных метров, в общей сложности 121 эпитаксиальное ростовое оборудование и максимальную годовую производственную мощность 334 400 эпитаксиальных пластин SiC. В будущем, если завод Eco-Park будет успешно запущен в эксплуатацию, годовая мощность производства эпитаксиальных пластин SiC компании Tianyu Semiconductor увеличится до 1,3344 млн штук.