Tianyu Semiconductor ၏ SiC epitaxial ပရောဂျက်နှစ်ခုကို တိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။

121
Tianyu Semiconductor ၏ SiC epitaxial ပရောဂျက်နှစ်ခုသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ခြင်းအဆင့်/တိုးချဲ့ခြင်းအဆင့်သို့ရောက်ရှိခဲ့ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ခြင်း- Dongguan Eco-Park Plant- စီမံကိန်း၏ပထမအဆင့်ကို ယခုနှစ်မေလတွင် စတင်စမ်းသပ်ထုတ်လုပ်နိုင်ဖွယ်ရှိပြီး နှစ်စဉ်စီစဉ်ထားသည့် ပမာဏ 170,000 အပိုင်းပိုင်းတိုးချဲ့ထုတ်လုပ်သွားမည်ဖြစ်သည်။ ဌာနချုပ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ကုန်ထုတ်ဌာန တည်ဆောက်ရေး စီမံကိန်း- ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် ၇.၆၇ ဘီလီယံ၊ စုစုပေါင်း မြေဧရိယာ စတုရန်းမီတာ ၆၃၀၀၀ ခန့်၊ စုစုပေါင်း ဆောက်လုပ်ရေး ဧရိယာသည် စတုရန်းမီတာ ၂၂၀၀၀၀ ခန့်၊ တည်ဆောက်ရေး ကာလမှာ ၂၀၂၃ ခုနှစ်မှ ၂၀၂၅ ခုနှစ်အထိ ဖြစ်သည်။ စက်ရုံသစ် ၃ ရုံနှင့် အဆောက်အဦ အထောက်အကူပြု အဆောက်အဦ အသစ်များကို စမ်းသပ် တည်ဆောက်သွားမည် ဖြစ်သည်။ 2024 ခုနှစ် မေလတွင် ထုတ်လုပ်မှု၊ fers အနာဂတ်တွင် Eco-Park စက်ရုံကို အောင်မြင်စွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့ပါက Tianyu Semiconductor ၏ နှစ်စဉ် SiC epitaxial wafers ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် 1.3344 သန်းအထိ တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။