Hai dự án epitaxial SiC của Tianyu Semiconductor đang mở rộng

Hai dự án epitaxial SiC của Tianyu Semiconductor đã đạt đến giai đoạn hoàn thiện/giai đoạn mở rộng, đẩy nhanh hơn nữa việc mở rộng công suất: Nhà máy Công viên sinh thái Đông Quan: Giai đoạn đầu tiên của dự án dự kiến ​​sẽ bắt đầu sản xuất thử nghiệm vào tháng 5 năm nay, với công suất hàng năm theo kế hoạch là 170.000 chiếc; Nhà máy Hồ Tùng Sơn Đông Quan: Giai đoạn mở rộng thứ bảy, dự án sẽ bổ sung thêm công suất 200.000 chiếc/năm. Dự án xây dựng trụ sở chính và trung tâm sản xuất và chế tạo: vốn đầu tư dự kiến ​​là 7,67 tỷ nhân dân tệ, tổng diện tích đất khoảng 63.000 mét vuông, tổng diện tích xây dựng khoảng 220.000 mét vuông, thời gian xây dựng từ năm 2023 đến năm 2025. Ba nhà máy mới và các cơ sở xây dựng hỗ trợ sẽ được xây dựng để xây dựng dây chuyền sản xuất wafer epitaxial SiC 1 triệu chiếc/năm. Giai đoạn đầu của dự án sẽ được đưa vào sản xuất thử nghiệm vào tháng 5 năm 2024; nhìn chung, sau lần cải tạo và mở rộng thứ bảy, nhà máy Songshan Lake của Tianyu Semiconductor có tổng vốn đầu tư khoảng 1,667 tỷ nhân dân tệ, tổng diện tích 18.600 mét vuông, tổng diện tích xây dựng 26.100 mét vuông, tổng cộng 121 thiết bị tăng trưởng epitaxial và công suất sản xuất hàng năm tối đa là 334.400 wafer epitaxial SiC. Trong tương lai, nếu nhà máy công viên sinh thái đi vào sản xuất thành công, năng lực sản xuất wafer epitaxial SiC hàng năm của Tianyu Semiconductor sẽ tăng lên 1,3344 triệu chiếc.