Over Baishi Electronics

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. werd opgericht in augustus 2019 en heeft een compleet R&D-hoofdkantoor en productiecentrum gevestigd in de economische en technologische ontwikkelingszone Pukou in Nanjing, China. Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. werd eind 2019 opgericht in de ontwikkelingszone. Het is een binnenlandse fabrikant die gespecialiseerd is in de productie van derde generatie halfgeleider siliciumcarbide en gallium nitride gerelateerde epitaxiale wafers. Het kernteam komt van grote Aziatische siliciumcarbide en gallium nitride epitaxiale wafer fabrikanten. Ze hebben vele jaren ervaring in samengestelde halfgeleider epitaxiale structuur en groeitechnologie en grootschalige massaproductie management. De producten omvatten epitaxiale wafers met siliciumcarbide SiC als substraat (SiC op SiC, GaN op SiC) en silicium als substraat (GaN op silicium).