Iwwert Baishi Electronics

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. gouf am August 2019 gegrënnt an huet e komplette R&D Sëtz a Produktiounszentrum an der Pukou wirtschaftlech an technologescher Entwécklung Zone, Nanjing, China etabléiert. Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd war an der Entwécklung Zone um Enn vun 2019 gegrënnt. Et ass eng Gewalt Fabrikant beschwéiert an der Produktioun vun drëtt-Generatioun semiconductor Silicon Carbide an gallium nitride Zesummenhang epitaxial wafers De Kär Equipe kënnt aus grouss asiatesch Silicon Carbide an gallium nitride Struktur vun Epitaxial an epitaxial Wuesstem an villen Wuesstem Technologie a grouss-Skala Mass Produktioun Gestioun D'Produkter enthalen epitaxial wafers mat Silicon Carbide SiC als Substrat (SiC op SiC, GaN op SiC) a Silicon als Substrat (GaN op Silicon).