Baishi Electrónica rehegua

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. oñemopyenda agosto 2019 ha omopyenda sede I+D completo ha centro de producción Zona de Desarrollo Económico y Tecnológico Pukou, Nanjing, China. Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. oñemopyenda zona de desarrollo pahápe 2019. Ha'e peteî fabricante nacional especializado producción de tercera generación carburo de silicio ha nitruro de galio relacionado oblea epitaxial Equipo núcleo oúva umi fabricante principal carburo de silicio ha nitruro de galio orekóva heta arýma experiencia estructura epitaxial semiconductor compuesto ha tecnología okakuaáva ha gestión producción masiva tuicha escala-pe Umi producto oimehápe oblea epitaxial orekóva carburo de silicio SiC sustrato ramo (SiC SiC rehe, GaN SiC rehe) ha silicio sustrato ramo (GaN Silicio rehe).