Hauptprodukte von Baishi Electronics

Die 8-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer von Baishi Electronics haben hinsichtlich der wichtigsten technischen Indikatoren ein international fortschrittliches Niveau erreicht. Die erste Produktionslinie wurde 2021 im Bezirk Pukou, Nanjing, in Betrieb genommen und verfügt über eine jährliche Produktionskapazität von 50.000 Stück. Angesichts der kontinuierlichen Steigerung der Marktnachfrage plant das Unternehmen den Bau einer Produktionslinie der zweiten Phase im Jangtse-Delta mit einer geschätzten Produktionskapazität von 280.000 Wafern pro Jahr, um die steigende Nachfrage nach epitaktischen Wafern der dritten und einer halben Generation in Automobilqualität zu decken. Das Unternehmen verfügt über eine Produktionskapazität für 6-Zoll- und 8-Zoll-Epitaxiewafer aus SiC/GaN, von denen 3300-V-Epitaxiewafer aus Siliziumkarbid eine stabile Produktion mit hoher Ausbeute und hoher Qualität erreicht haben. Die Produkte von Baishi Electronics werden häufig in High-End-Märkten wie 5G-Basisstationen, Elektrofahrzeugen, Radaren und Schnellladegeräten eingesetzt und finden Anerkennung bei globalen Branchenriesen und führenden inländischen Unternehmen.