Baishi Electronics'in ana ürünleri

Baishi Electronics'in 8 inçlik SiC epitaksiyel yongaları, temel teknik göstergelerde uluslararası ileri seviyeye ulaştı. İlk üretim hattı 2021 yılında Nanjing'in Pukou bölgesinde yıllık 50.000 adet üretim kapasitesiyle faaliyete geçti. Pazar talebinin sürekli büyümesiyle birlikte şirket, otomotiv sınıfı üçüncü nesil bir buçuk epitaksiyel gofretlere yönelik artan talebi karşılamak amacıyla Yangtze Nehri Deltası bölgesinde yıllık tahmini 280.000 gofret üretim kapasitesine sahip ikinci faz bir üretim hattı kurmayı planlıyor. Şirket, 6 inç ve 8 inç SiC/GaN epitaksiyel gofret üretim kapasitesine sahip olup, bunların arasında 3300V silisyum karbür epitaksiyel gofretlerde yüksek verim ve yüksek kalite ile istikrarlı üretim elde edilmiştir. Baishi Electronics'in ürünleri, 5G baz istasyonları, elektrikli araçlar, radarlar ve hızlı şarj cihazları gibi üst düzey pazarlarda yaygın olarak kullanılıyor ve küresel endüstri devleri ve yerel lider şirketler tarafından tanınıyor.