Baishi Electronics ၏ အဓိကထုတ်ကုန်များ

187
Baishi Electronics ၏ 8 လက်မအရွယ် SiC epitaxial wafers များသည် အဓိကနည်းပညာဆိုင်ရာ အညွှန်းကိန်းများတွင် နိုင်ငံတကာအဆင့်မြင့်အဆင့်သို့ ရောက်ရှိနေပြီဖြစ်သည်။ ပထမဆုံးထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို Pukou ခရိုင်၊ Nanjing တွင် 2021 ခုနှစ်တွင် စတင်လည်ပတ်ခဲ့ပြီး နှစ်စဉ် 50,000 အပိုင်းအထိ ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့သည်။ စျေးကွက်ဝယ်လိုအား စဉ်ဆက်မပြတ် ကြီးထွားလာမှုနှင့်အတူ ကုမ္ပဏီသည် မော်တော်ယာဥ်အဆင့် တတိယမျိုးဆက်နှင့် တစ်နှစ်ခွဲ epitaxial wafers များ၏ ကြီးထွားလာနေသော မော်တော်ကားတန်း တတိယမျိုးဆက်နှင့် ထက်ဝက် epitaxial wafers များ၏ လိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းရန် တစ်နှစ်လျှင် ခန့်မှန်းချေ 280,000 ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ဖြင့် ယန်ဇီမြစ်ဝကျွန်းပေါ်ဒေသတွင် ဒုတိယအဆင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ဆောက်ရန် စီစဉ်နေပါသည်။ ကုမ္ပဏီသည် 6 လက်မနှင့် 8 လက်မအရွယ် SiC/GaN epitaxial wafers များ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ရှိပြီး 3300V silicon carbide epitaxial wafers များသည် မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းနှင့် အရည်အသွေးမြင့်မားသော တည်ငြိမ်သောထုတ်လုပ်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ Baishi Electronics ၏ ထုတ်ကုန်များကို 5G အခြေစိုက်စခန်းများ၊ လျှပ်စစ်ကားများ၊ ရေဒါများနှင့် အမြန်အားသွင်းကိရိယာများကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်စျေးကွက်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြပြီး ကမ္ဘာ့စက်မှုလုပ်ငန်းကြီးများနှင့် ပြည်တွင်းထိပ်တန်းကုမ္ပဏီများမှ အသိအမှတ်ပြုခံထားရသည်။