Sản phẩm chính của Baishi Electronics

Các tấm wafer epitaxial SiC 8 inch của Baishi Electronics đã đạt đến trình độ tiên tiến quốc tế về các chỉ số kỹ thuật quan trọng. Dây chuyền sản xuất đầu tiên được đưa vào hoạt động tại quận Phổ Khẩu, Nam Kinh vào năm 2021, với công suất sản xuất hàng năm là 50.000 chiếc. Với nhu cầu thị trường liên tục tăng trưởng, công ty đang có kế hoạch xây dựng dây chuyền sản xuất giai đoạn 2 tại khu vực Đồng bằng sông Dương Tử, với công suất sản xuất ước tính là 280.000 tấm wafer mỗi năm để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với wafer epitaxial thế hệ thứ ba và một nửa cấp ô tô. Công ty có năng lực sản xuất tấm wafer epitaxial SiC/GaN 6 inch và 8 inch, trong đó tấm wafer epitaxial silicon carbide 3300V đạt sản lượng ổn định với năng suất cao và chất lượng cao. Các sản phẩm của Baishi Electronics được sử dụng rộng rãi trên các thị trường cao cấp như trạm gốc 5G, xe điện, radar và bộ sạc nhanh, đồng thời được các công ty lớn trong ngành toàn cầu và các công ty hàng đầu trong nước công nhận.