Produk utama Baishi Electronics

Wafer epitaxial SiC 8-inci Baishi Electronics telah mencapai tahap lanjutan antarabangsa dalam petunjuk teknikal utama. Barisan pengeluaran pertama telah mula beroperasi di Daerah Pukou, Nanjing pada tahun 2021, dengan kapasiti pengeluaran tahunan sebanyak 50,000 keping. Dengan pertumbuhan permintaan pasaran yang berterusan, syarikat itu merancang untuk membina barisan pengeluaran fasa kedua di wilayah Delta Sungai Yangtze, dengan anggaran kapasiti pengeluaran sebanyak 280,000 wafer setahun untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat bagi wafer epitaxial generasi ketiga dan separuh epitaxial gred automotif. Syarikat itu mempunyai kapasiti pengeluaran wafer epitaxial SiC/GaN 6 inci dan 8 inci, antaranya wafer epitaxial silikon karbida 3300V telah mencapai pengeluaran yang stabil dengan hasil yang tinggi dan berkualiti tinggi. Produk Baishi Electronics digunakan secara meluas dalam pasaran mewah seperti stesen pangkalan 5G, kenderaan elektrik, radar dan pengecas pantas, dan telah diiktiraf oleh gergasi industri global dan syarikat terkemuka domestik.