Baishi Electronics erhielt 300 Millionen RMB im Rahmen der Finanzierungsrunde A

Baishi Electronic Technology gab vor Kurzem bekannt, dass es seine Finanzierungsserie A mit einem Gesamtfinanzierungsbetrag von über 300 Millionen RMB abgeschlossen habe. Angeführt wurde diese Finanzierungsrunde von Hangshi Asset Management, gefolgt von namhaften Investoren wie Yida Capital, Huaying Capital, Achen Technology, Kehong Investment, Yonghua Investment, GRC Fuhua Capital und Fuxi Investment. Die Altaktionäre Yachang Investment und Jinpu Investment erhöhten ihre Investitionen weiter. Die Finanzierung soll vor allem für den Kapazitätsausbau und den Kauf von Produktionsanlagen genutzt werden. Baishi Electronics wurde im August 2019 gegründet und ist auf die Herstellung von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-bezogenen Epitaxiewafern spezialisiert, darunter GaN auf Silizium, GaN auf SiC und SiC auf SiC. Das Unternehmen bietet professionelle und hochwertige Epitaxie-Gießereidienstleistungen für Siliziumkarbid und Galliumnitrid für Anwendungsmärkte wie Hochspannung, hohe Leistung und Hochfrequenzmikrowellen.