Baishi Electronics បានទទួល RMB 300 លាននៅក្នុងការផ្តល់ហិរញ្ញប្បទានស៊េរី A

Baishi Electronic Technology ថ្មីៗនេះបានប្រកាសថាខ្លួនបានបញ្ចប់ការផ្តល់ហិរញ្ញប្បទានស៊េរី A របស់ខ្លួនជាមួយនឹងចំនួនហិរញ្ញប្បទានសរុបលើសពី 300 លានយន់។ ការផ្តល់ហិរញ្ញប្បទានជុំនេះដឹកនាំដោយ Hangshi Asset Management បន្ទាប់មកវិនិយោគិនល្បីៗដូចជា Yida Capital, Huaying Capital, Achen Technology, Kehong Investment, Yonghua Investment, GRC Fuhua Capital និង Fuxi Investment ម្ចាស់ភាគហ៊ុនចាស់ Yachang Investment និង Jinpu Investment បានបន្តបង្កើនការវិនិយោគរបស់ពួកគេ។ ហិរញ្ញប្បទាននេះនឹងត្រូវបានប្រើប្រាស់ជាចម្បងសម្រាប់ការពង្រីកសមត្ថភាព និងការទិញឧបករណ៍ផលិតកម្ម។ Baishi Electronics ត្រូវបានបង្កើតឡើងក្នុងខែសីហា ឆ្នាំ 2019 និងមានជំនាញក្នុងការផលិត silicon carbide និង gallium nitride ទាក់ទងនឹង epitaxial wafers រួមទាំង GaN on Silicon, GaN on SiC និង SiC on SiC វាផ្តល់នូវសេវាកម្មស៊ីលីកុន carbide និង gallium nitride epitaxial ប្រកបដោយវិជ្ជាជីវៈ និងគុណភាពខ្ពស់សម្រាប់ទីផ្សារកម្មវិធីដូចជា រលកវិទ្យុសកម្មខ្ពស់ និងថាមពលខ្ពស់ជាដើម។