Konstruktionen af Kinas første 6-tommer galliumoxid-enkeltkrystal- og epitaksial wafer-vækstlinje startede i Fuyang, Hangzhou
Krystal optoelektronik
De
De
tomme
Kina
skifte
starte
skifte
led
Hangzhou
konstruktion
tid
halvleder
2024-09-13 16:22
152
Den 10. september startede Hangzhou Fuga Gallium Technology Co., Ltd. konstruktionen af en 6-tommers galliumoxid-enkeltkrystal- og epitaksial wafer-vækstlinje i Fuyang, Hangzhou. Dette er den første 6-tommers enkeltkrystal- og epitaksial-wafer-vækstlinje i Kina. Den 6-tommers enkeltkrystalvækstteknologi, der startede samtidig med den internationale, og den epitaksiale teknologi, der er mere egnet til masseproduktion, vil "skifte bane og overhale", og hjælpe den nye ultrabrede båndgap-halvleder-gallium-kvalitet med høj kvalitet.
