В Фуяне, Ханчжоу, началось строительство первой в Китае 6-дюймовой линии по выращиванию монокристаллов оксида галлия и эпитаксиальных пластин

10 сентября компания Hangzhou Fuga Gallium Technology Co., Ltd. начала строительство 6-дюймовой линии по выращиванию монокристаллов оксида галлия и эпитаксиальных пластин в Фуяне, Ханчжоу. Это первая в Китае линия по выращиванию 6-дюймовых монокристаллов и эпитаксиальных пластин оксида галлия. Технология выращивания 6-дюймовых монокристаллов, которая стартовала одновременно с международной технологией, и эпитаксиальная технология, которая больше подходит для массового производства, «сменят полосу и обгонят», и помогут новой цепочке производства сверхширокозонных полупроводников оксида галлия быстро и качественно развиваться.