တရုတ်နိုင်ငံ၏ ပထမဆုံး ၆ လက်မ ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲနှင့် epitaxial wafer ကြီးထွားမှုလိုင်းကို Hangzhou၊ Fuyang တွင် စတင်တည်ဆောက်ခဲ့သည်။

စက်တင်ဘာလ 10 ရက်နေ့တွင် Hangzhou Fuga Gallium Technology Co., Ltd. သည် Hangzhou, Fuyang တွင် 6 လက်မ galium oxide single crystal နှင့် epitaxial wafer လိုင်းကို စတင်တည်ဆောက်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် နိုင်ငံတကာမှ စတင်သည့် 6 လက်မအရွယ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုနည်းပညာနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်သော epitaxial နည်းပညာသည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပထမဆုံး 6-inch gallium oxide single crystal နှင့် epitaxial wafer ကြီးထွားမှုလိုင်းဖြစ်သည်။