နိုင်ငံတကာ လက်ဝါးကြီးအုပ်မှုကို ချိုးဖျက်ရန်အတွက် Gallium Semiconductor သည် ထုတ်ကုန်အသစ်များကို မိတ်ဆက်လိုက်သည်။

ယခုနှစ် ဧပြီလတွင် Gallium Ren Semiconductor သည် 2-လက်မ wafer-level (010) gallium oxide semi-insulating single crystal substrate ကို ထုတ်လုပ်ခဲ့ပြီး 2-inch (010) gallium oxide single crystal substrate ကို သီးခြားလွတ်လပ်စွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့ပြီး နိုင်ငံတကာ လက်ဝါးကြီးအုပ်မှုကို ချိုးဖျက်ခဲ့သည်။ ဤထုတ်ကုန်ကို မိတ်ဆက်ခြင်းသည် ကုမ္ပဏီ၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေရုံသာမက စက်မှုလုပ်ငန်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် တက်ကြွမှုအသစ်များကိုပါ ထည့်သွင်းပေးပါသည်။ စက်တင်ဘာလ 11 ရက်နေ့ ညနေတွင် Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. (နောင် "Gallium Semiconductor" ဟုရည်ညွှန်းသည်) ကုမ္ပဏီသည် ယခုနှစ်သြဂုတ်လတွင် ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ်အလွှာအတွက် ပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာကို အောင်မြင်စွာပြုလုပ်ခဲ့ပြီး အလွန်ပါးလွှာသော 6 လက်မအရွယ် အထူအပါး 200 microns ထက်နည်းသော အထူကို အောင်မြင်စွာတီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။