Gallium Semiconductor melancarkan produk baharu untuk memecahkan monopoli antarabangsa

Pada April tahun ini, Gallium Ren Semiconductor melancarkan produk baharu, substrat kristal tunggal separa penebat galium oksida 2-inci tahap wafer (010) gallium oksida, dan mencapai pengeluaran besar-besaran bebas substrat kristal tunggal gallium oksida 2-inci (010), memecahkan monopoli antarabangsa. Pelancaran produk ini bukan sahaja meningkatkan daya saing syarikat, malah turut menyuntik tenaga baharu dalam pembangunan industri. Pada petang 11 September, Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. (selepas ini dirujuk sebagai "Gallium Semiconductor") mengumumkan bahawa syarikat itu membuat satu kejayaan dalam teknologi pemprosesan substrat galium oksida pada Ogos tahun ini dan berjaya membangunkan substrat 6 inci ultra nipis dengan ketebalan kurang daripada 200 mikron.