Gallium Semiconductor უშვებს ახალ პროდუქტებს საერთაშორისო მონოპოლიის დასარღვევად

ამ წლის აპრილში Gallium Ren Semiconductor-მა გამოუშვა ახალი პროდუქტი, 2 დიუმიანი ვაფლის დონის (010) გალიუმის ოქსიდის ნახევრად საიზოლაციო ერთკრისტალური სუბსტრატი და მიაღწია 2 დიუმიანი (010) გალიუმის ოქსიდის ერთკრისტალური სუბსტრატის დამოუკიდებელ მასობრივ წარმოებას, რითაც დაარღვია საერთაშორისო მონოპოლია. ამ პროდუქტის გამოშვება არა მხოლოდ აუმჯობესებს კომპანიის კონკურენტუნარიანობას, არამედ ახალ სიცოცხლისუნარიანობას შეაქვს ინდუსტრიის განვითარებაში. 11 სექტემბერს საღამოს, Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd.-მ (შემდგომში „Gallium Semiconductor“) გამოაცხადა, რომ კომპანიამ გალიუმის ოქსიდის სუბსტრატის დამუშავების ტექნოლოგიაში გარღვევა მიმდინარე წლის აგვისტოში მოახდინა და წარმატებით შეიმუშავა ულტრა თხელი 6 დიუმიანი სუბსტრატი 2200000 მიკროზე ნაკლები სისქით.