Chongqing Sanani projekt käivitati edukalt, edendades 8-tolliste ränikarbiidsubstraatide suuremahulist tootmist

Hiljuti teatas Sanan Optoelectronics, et tema Chongqing Sanani projekt on edukalt saavutanud substraaditehase valgustuse ja ühendamise. Projekt on 8-tolline ränikarbiidist substraati toetav tehas, mis on loodud vastama kasvavale turunõudlusele. On teatatud, et Sanan Optoelectronics ja STMicroelectronics asutasid ühiselt Chongqingis tehase, et ühiselt edendada 8-tolliste ränikarbiidi (SiC) kiipide suuremahulist masstootmisplaani. Lisaks investeeris Sanan Optoelectronics iseseisvalt 7 miljardit jüaani 8-tollise ränikarbiidist substraaditehase ehitamiseks. Hunan on lõpetanud oma 6-tollise tootmisvõimsuse laiendamise ja laiendab oma tootmisvõimsust tulevikus 8 tollini.