Chongqing Sanan-ის პროექტი წარმატებით დაიწყო, რომელიც ხელს უწყობს 8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატების ფართომასშტაბიან წარმოებას

ახლახან Sanan Optoelectronics-მა გამოაცხადა, რომ მისმა Chongqing Sanan-ის პროექტმა წარმატებით მიაღწია სუბსტრატის ქარხნის განათებას და შეერთებას. პროექტი არის 8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის დამხმარე ქარხანა, რომელიც შექმნილია ბაზრის მზარდი მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად. ცნობილია, რომ Sanan Optoelectronics-მა და STMicroelectronics-მა ერთობლივად დააარსეს ქარხანა Chongqing-ში, რათა ერთობლივად ხელი შეუწყონ 8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის (SiC) ჩიპების მასობრივი წარმოების გეგმას. გარდა ამისა, Sanan Optoelectronics-მა ასევე დამოუკიდებლად ჩადო 7 მილიარდი იუანი 8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის ქარხნის ასაშენებლად. ჰუნანმა შეწყვიტა 6 დიუმიანი წარმოების სიმძლავრის გაფართოება და მომავალში 8 ინჩამდე გააფართოვებს.