„Dongwei Semiconductor“ pristato 1200 V silicio karbido MOSFET, o jo trečiojo ketvirčio našumas nuolat gerėjo

2024 m. trečiąjį ketvirtį „Dongwei Semiconductor“ pajamos siekė 261 mln. juanių, ty 10,17% daugiau nei per metus. Įmonė sėkmingai sukūrė pirmosios ir antrosios kartos 1200V silicio karbido MOSFET gaminius, išlaikė patikimumo testus, pradėjo priimti klientų užsakymus.