Infineon Technologies entwickelt weltweit dünnsten Silizium-Leistungswafer

Die Infineon Technologies AG gab am 29. Oktober bekannt, dass ihr ein Durchbruch bei der Handhabung und Verarbeitung der weltweit dünnsten Silizium-Leistungswafer gelungen sei. Dieser Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm und einer Dicke von nur 20 μm ist nur ein Viertel so dick wie ein Haar und dünner als die Hälfte des derzeit modernsten 40–60 μm-Wafers.