高頻寬記憶體製造商考慮轉向混合鍵合或熔融鍵合

高頻寬記憶體(HBM)製造商可以考慮轉向混合鍵合或熔融鍵合（電介質-電介質），但存在一些缺點。熔融鍵結對HBM非常有效，但每個晶片的性能並不相同，因此整個堆疊的性能受限於最弱的環節。