Çin Elmlər Akademiyasının akademiki Ouyang Minggao, batareya dizaynının süni intellektə əsaslanan üçüncü nəsil intellektual dizayn texnologiyasına daxil olacağını proqnozlaşdırır.

Çin Elmlər Akademiyasının akademiki Ouyang Minggao, batareya dizaynının ikinci nəsil simulyasiyadan üçüncü nəsil süni intellektə əsaslanan intellektual dizayn texnologiyasına keçəcəyini proqnozlaşdırdı. Bu texnologiyanın akkumulyatorun Ar-Ge səmərəliliyini 1-2 bal artırması və R&D xərclərinin 70%-80%-nə qənaət etməsi gözlənilir.