ФАВ Хонгки и ЗТЕ сарађују на развоју АИ чипова високих перформанси

ФАВ Хонгки је објавио да је потписао споразум о сарадњи са ЗТЕ-ом за заједнички развој мулти-доменског фузионог АИ чипа под називом "Хонгки 1". Овај чип користи 5нм процес и очекује се да ће бити пуштен у употребу 2025. године. Подржаће имплементацију фузије пет домена и имати значајна побољшања перформанси у логичким операцијама и приказивању слике.