广东芯粤能成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

广东芯粤能半导体有限公司经过两年的技术研发和测试，成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该技术具有降低比导通电阻、提高电流密度等优势，并且能够有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。目前，该技术的1200V试制品单片最高良率超过97%，23mm2芯片尺寸下导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm2。