Guangdong Xinyue Energy hat erfolgreich die erste Generation der Siliziumkarbid-Trench-MOSFET-Prozessplattform entwickelt

Nach zwei Jahren technischer Forschung, Entwicklung und Tests hat Guangdong Xinyue Semiconductor Co., Ltd. erfolgreich die erste Generation einer Siliziumkarbid-Trench-MOSFET-Prozessplattform entwickelt. Diese Technologie bietet die Vorteile einer Reduzierung des spezifischen Einschaltwiderstands und einer Erhöhung der Stromdichte und kann das Engpassproblem bei der Verbesserung der Leistung planarer MOSFETs effektiv überwinden, die Chipleistung weiter verbessern und die Kosten erheblich senken. Derzeit liegt die höchste Einzelchip-Ausbeute des 1200-V-Testprodukts dieser Technologie bei über 97 %, der Einschaltwiderstand beträgt 12,5 mΩ bei einer Chipgröße von 23 mm2 und der spezifische Einschaltwiderstand beträgt 2,3 mΩ•cm2.