Компания Guangdong Xinyue Energy успешно разработала первое поколение технологической платформы MOSFET на основе карбида кремния

После двух лет технических исследований, разработок и испытаний компания Guangdong Xinyue Semiconductor Co., Ltd. успешно разработала первое поколение технологической платформы для траншейных МОП-транзисторов на основе карбида кремния. Эта технология имеет преимущества в виде снижения удельного сопротивления открытого канала и увеличения плотности тока, а также может эффективно устранить проблему «узкого места» — улучшения производительности планарных МОП-транзисторов, дополнительно повысить производительность микросхемы и значительно снизить затраты. В настоящее время максимальный выход годных кристаллов опытного образца этой технологии на 1200 В превышает 97%, сопротивление открытого канала составляет 12,5 мОм при размере кристалла 23 мм2, а удельное сопротивление открытого канала составляет 2,3 мОм•см2.