Guangdong Xinyue Energy je uspešno razvil prvo generacijo MOSFET procesne platforme iz silicijevega karbida

Po dveh letih tehničnih raziskav in razvoja ter testiranja je Guangdong Xinyue Semiconductor Co., Ltd. uspešno razvil prvo generacijo procesne platforme MOSFET iz silicijevega karbida. Ta tehnologija ima prednosti zmanjšanja specifičnega upora pri vklopu in povečanja gostote toka ter lahko učinkovito preseže problem ozkega grla izboljšanja zmogljivosti planarnih MOSFET, dodatno izboljša zmogljivost čipa in znatno zmanjša stroške. Trenutno najvišji izkoristek z enim čipom preskusnega izdelka 1200 V te tehnologije presega 97 %, upor pri vklopu je 12,5 mΩ pri velikosti čipa 23 mm2, specifični upor pri vklopu pa 2,3 mΩ•cm2.