Компанія Guangdong Xinyue Energy успішно розробила технологічну платформу MOSFET з карбіду кремнію першого покоління.

Після двох років технічних досліджень, розробок і випробувань компанія Guangdong Xinyue Semiconductor Co., Ltd. успішно розробила технологічну платформу МОП-транзисторів з карбіду кремнію першого покоління. Ця технологія має такі переваги, як зменшення питомого опору увімкнення та збільшення щільності струму, а також може ефективно вирішити проблему вузького місця покращення продуктивності планарних МОП-транзисторів, ще більше покращити продуктивність мікросхеми та значно знизити витрати. Наразі найвищий вихід пробного продукту 1200 В із цією технологією на одному чіпі перевищує 97%, опір у включеному стані становить 12,5 мОм при розмірі мікросхеми 23 мм2, а питомий опір у включеному стані становить 2,3 мОм•см2.