Guangdong Xinyue Energy đã phát triển thành công thế hệ đầu tiên của nền tảng quy trình MOSFET rãnh silicon carbide

Sau hai năm nghiên cứu, phát triển và thử nghiệm kỹ thuật, Công ty TNHH Bán dẫn Quảng Đông Xinyue đã phát triển thành công nền tảng quy trình MOSFET rãnh silicon carbide thế hệ đầu tiên. Công nghệ này có ưu điểm là giảm điện trở riêng và tăng mật độ dòng điện, có thể phá vỡ hiệu quả vấn đề thắt cổ chai trong việc cải thiện hiệu suất MOSFET phẳng, cải thiện hơn nữa hiệu suất chip và giảm đáng kể chi phí. Hiện nay, sản lượng chip đơn cao nhất của sản phẩm thử nghiệm 1200V của công nghệ này vượt quá 97%, điện trở khi bật là 12,5mΩ ở kích thước chip 23mm2 và điện trở khi bật riêng là 2,3mΩ•cm2.