安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块

安森美于3月18日宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）MOSFET的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。该模块集成独立高边栅极驱动、低电压集成电路（LVIC）、六颗 SiC MOSFET 及温度传感器，显著降低系统损耗与体积。