ON Semiconductor lança módulo de energia inteligente baseado em carboneto de silício de 1200 V

A ON Semiconductor anunciou em 18 de março o lançamento de sua primeira geração da série SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) baseada em MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de 1200 V. O módulo integra drivers de porta de alta tensão independentes, um circuito integrado de baixa tensão (LVIC), seis MOSFETs de SiC e um sensor de temperatura, reduzindo significativamente as perdas e o tamanho do sistema.