ON Semiconductor выпускает интеллектуальный силовой модуль на основе карбида кремния напряжением 1200 В

Компания ON Semiconductor 18 марта объявила о запуске первого поколения серии интеллектуальных силовых модулей (IPM) SPM 31 на базе 1200-вольтовых МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC). Модуль объединяет независимые драйверы затворов верхнего уровня, низковольтную интегральную схему (LVIC), шесть SiC MOSFET и датчик температуры, что значительно снижает потери и размеры системы.