ON Semiconductor lansira 1200 V inteligentni napajalni modul na osnovi silicijevega karbida
MOSFET
Semi
SiC MOS
SiC MOSFET
ON Semiconductor
serije
visoko
temelj
temelj
integrirano
senzor
dr
SiC
ON Semiconductor
2025-03-20 15:30
145
ON Semiconductor je 18. marca objavil lansiranje svoje prve generacije serije inteligentnih napajalnih modulov (IPM) SPM 31, ki temelji na 1200 V MOSFET-ih iz silicijevega karbida (SiC). Modul združuje neodvisne visokonapetostne gonilnike vrat, nizkonapetostno integrirano vezje (LVIC), šest SiC MOSFET-ov in temperaturni senzor, kar znatno zmanjša izgube in velikost sistema.
