ON Semiconductor lansira inteligentni energetski modul od 1200 V na bazi silicij karbida

ON Semiconductor je 18. ožujka najavio lansiranje svoje prve generacije SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) serije temeljene na 1200V MOSFET-ovima od silicij karbida (SiC). Modul integrira nezavisne drajvere vrata visoke strane, niskonaponski integrirani krug (LVIC), šest SiC MOSFET-ova i senzor temperature, značajno smanjujući gubitke i veličinu sustava.