Inilunsad ng ON Semiconductor ang 1200V Silicon Carbide-Based Intelligent Power Module

Inanunsyo ng ON Semiconductor noong Marso 18 ang paglulunsad ng unang henerasyon nito ng seryeng SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) batay sa 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET. Ang module ay nagsasama ng mga independiyenteng high-side gate driver, isang low-voltage integrated circuit (LVIC), anim na SiC MOSFET at isang sensor ng temperatura, na makabuluhang binabawasan ang pagkalugi at laki ng system.